كشفت شركتا إنتل و«Micron» النقاب عن تقنية جديدة مبتكرة للذواكر، أطلقتا عليها اسم «3D CrossPoint»، والتي تعتبر صنفا جديدا من الذواكر التي لديها القابلية للاستخدام كذاكرة وصول عشوائي رام «RAM» وذاكرة تخزين داخلية «SSD» في الوقت ذاته.
وتتميز الذاكرة الجديدة بالسرعة والمتانة حيث إنها أسرع بألف مرة في كل من سرعات القراءة والكتابة، كمل أن لها القدرة على التحمل أكثر من ذاكرة الفلاش «NAND» المستخدمة حاليا في أقراص التخزين الساكنة «SSD»، وتمتاز بأنها أكثف بعشرة أضعاف، مما يؤدي إلى المزيد من سعة التخزين في نفس الحيز المادي، فيما تحافظ على نفس فعالية وتوافرية ذواكر «NAND» الحالية.
وتمتاز الذاكرة الجديدة بأنها تقوم بخزن البيانات بطريقة مختلفة تماما عما هو مستخدم في ذواكر «NAND» الحالية، فقد بُنيت الذواكر، بدلا من استخدام أنصاف النواقل التقليدية والتي يجب الوصول إليها بشكل صفوف كاملة، بشكل نمط ثلاثي الأبعاد يتيح الوصول إلى الخلايا على نحو مفرد للكتابة عليها أو القراءة منها.
ويُذكر أن إنتل وميكرون تعملان على تطوير منتجاتهما الخاصة القائمة على التقنية التي من المتوقع أن تكون متاحة خلال العام المقبل.
